Продукція > VISHAY SILICONIX > IRF520PBF-BE3
IRF520PBF-BE3

IRF520PBF-BE3 Vishay Siliconix

irf520.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.5 грн
50+ 42.95 грн
100+ 34.04 грн
500+ 27.07 грн
1000+ 26.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF520PBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF520PBF-BE3 за ціною від 40.77 грн до 87.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF520PBF-BE3 IRF520PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix irf520.pdf MOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.27 грн
10+ 47.93 грн
100+ 40.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF520PBF-BE3 IRF520PBF-BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001141378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF520PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 9.2A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF520 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+87.52 грн
11+ 73.33 грн
25+ 68.6 грн
50+ 58.57 грн
100+ 50.01 грн
500+ 46.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF520PBF-BE3 IRF520PBF-BE3 Виробник : Vishay irf520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товар відсутній