![IRF520NSTRLPBF IRF520NSTRLPBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/749764e2198494dda5d2837a3d57738458e07a14/ipb65r125c7atma2.jpg)
IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
139+ | 88.47 грн |
152+ | 80.57 грн |
187+ | 65.5 грн |
200+ | 59.14 грн |
1600+ | 47.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF520NSTRLPBF за ціною від 63.06 грн до 132.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF520NSTRLPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 9166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRF520NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRF520NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 48W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
IRF520NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRF520NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; 47W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.5A Power dissipation: 47W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRF520NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRF520NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; 47W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.5A Power dissipation: 47W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |