![IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2435/D%C2%B2Pak%2CTO-263_418AA-01.jpg)
IRF4905STRLPBF Infineon Technologies
![irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 107.72 грн |
1600+ | 88.01 грн |
2400+ | 83.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4905STRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF4905STRLPBF за ціною від 79 грн до 229.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 15260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 200W |
на замовлення 2886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 4154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 44122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 200W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2886 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 15260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 114 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF4905STRLPBF Код товару: 173205 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |