![IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/420638/smn_/manual/ipb65r125c7atma2.jpg)
IRF3710STRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 35.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3710STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF3710STRLPBF за ціною від 51.28 грн до 155.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
на замовлення 16119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 50844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
IRF3710STRLPBF Код товару: 191831 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |