![IRF3709ZSTRRPBF IRF3709ZSTRRPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2435/D%C2%B2Pak%2CTO-263_418AA-01.jpg)
IRF3709ZSTRRPBF Infineon Technologies
![irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 62.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3709ZSTRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF3709ZSTRRPBF за ціною від 48.08 грн до 168.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |