Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF2804STRLPBF
IRF2804STRLPBF

IRF2804STRLPBF Infineon Technologies

irf2804pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2804STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF2804STRLPBF за ціною від 83.61 грн до 279.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+93.11 грн
1600+ 92.18 грн
2400+ 87.58 грн
4800+ 83.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+100.11 грн
1600+ 99.12 грн
2400+ 94.17 грн
4800+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2804pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de76f818e3 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+145.15 грн
1600+ 119.68 грн
2400+ 112.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+163.39 грн
500+ 118.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2804pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de76f818e3 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.49 грн
10+ 194.34 грн
100+ 157.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+248.79 грн
10+ 211.54 грн
25+ 204.66 грн
100+ 165.68 грн
250+ 105.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF2804_DataSheet_v01_01_EN-3362912.pdf MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.12 грн
10+ 213.99 грн
25+ 183.29 грн
100+ 150.53 грн
250+ 143.56 грн
800+ 113.6 грн
2400+ 108.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+267.93 грн
54+ 227.81 грн
55+ 220.4 грн
100+ 178.43 грн
250+ 113.93 грн
Мінімальне замовлення: 46
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+279.1 грн
10+ 202.48 грн
100+ 163.39 грн
500+ 118.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2804pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній