IRF200P222 Infineon Technologies
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 350.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF200P222 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 182A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF200P222 за ціною від 310.27 грн до 749.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF200P222 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200P222 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200P222 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF200P222 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 129A; 556W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 129A Power dissipation: 556W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 203nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200P222 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200P222 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200P222 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF200P222 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200P222 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 129A; 556W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 129A Power dissipation: 556W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 203nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF200P222 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 82A, 10V Power Dissipation (Max): 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 50 V |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF200P222 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 182A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200P222 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |