![IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/d82260f1f21c5589a8e2d3017c98555f1f8dfce3/to-247ac.jpg)
IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 192400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
400+ | 489.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 0.0036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 186A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF150P221AKMA1 за ціною від 268.49 грн до 657.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF150P221AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF150P221AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF150P221AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF150P221AKMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 186A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF150P221AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF150P221AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF150P221AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF150P221AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |