![IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2435/D%C2%B2Pak%2CTO-263_418AA-01.jpg)
IRF1407STRLPBF Infineon Technologies
![irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 101.41 грн |
1600+ | 82.86 грн |
2400+ | 78.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1407STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF1407STRLPBF за ціною від 71.09 грн до 216.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 5111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF Код товару: 107266 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IRF1407STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF1407STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |