![IRF1407PBF IRF1407PBF](/img/to-220.jpg)
IRF1407PBF
![irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8](/images/adobe-acrobat.png)
![IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 24062
Виробник: IRUds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності 56 шт:
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
36 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 66 грн |
10+ | 59.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1407PBF IR
- MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:75V
- Cont Current Id:130A
- On State Resistance:0.0078ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
- Max Voltage Vds:75V
- On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
- Power Dissipation:330W
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:520A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF1407PBF за ціною від 56.04 грн до 219.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Power dissipation: 330W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 160nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Power dissipation: 330W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 160nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 11811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF1407PBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1722 |
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 25027 шт
очікується:
40000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17834 |
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
очікується:
20000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 0.22 грн |
1000+ | 0.16 грн |
10000+ | 0.13 грн |
100nF 100V X7R K(+/-10%) (R15W104K2AH5-L-Hitano) Код товару: 18267 |
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±10% K
Крок: 5,08 mm
Part Number: R15W104K2AH5-L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±10% K
Крок: 5,08 mm
Part Number: R15W104K2AH5-L
у наявності: 3386 шт
очікується:
5000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 3.5 грн |
17+ | 3.1 грн |
100+ | 2.8 грн |
1000+ | 2.5 грн |
MUR1560G Код товару: 25102 |
![]() |
![]() |
Виробник: MOT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 60 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 60 ns
очікується:
25 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 35 грн |
10+ | 31.5 грн |
MICA TO220 Прокладка слюдяна 1,2К/Вт 18x13X0,1 для TO220 Код товару: 27920 |
Виробник: Mica
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка слюдяна 1,2К/Вт. Під корпус TO-220
Розмір: 18х13х0,1мм + відв.3мм
Матеріал: Слюда.
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка слюдяна 1,2К/Вт. Під корпус TO-220
Розмір: 18х13х0,1мм + відв.3мм
Матеріал: Слюда.
товар відсутній