IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 171200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 67.61 грн |
| 2400+ | 58.5 грн |
| 4800+ | 57.92 грн |
| 9600+ | 55.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF1310NSTRLPBF за ціною від 56.96 грн до 149.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 171200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 9585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC |
на замовлення 15810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRF1310NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |