Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1018ESTRLPBF
IRF1018ESTRLPBF

IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF1018ESTRLPBF за ціною від 36.38 грн до 130.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+46.91 грн
2400+ 45.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
252+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 252
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+50.78 грн
2400+ 48.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
203+59.59 грн
204+ 59.13 грн
225+ 53.74 грн
250+ 51.3 грн
500+ 40.81 грн
Мінімальне замовлення: 203
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+60.9 грн
11+ 55.33 грн
25+ 54.91 грн
100+ 48.12 грн
250+ 44.11 грн
500+ 36.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+61.28 грн
1600+ 48.07 грн
2400+ 45.25 грн
5600+ 40.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+73.01 грн
500+ 45.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+97.77 грн
10+ 73.21 грн
20+ 43.64 грн
54+ 41.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 9022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.29 грн
10+ 89.54 грн
100+ 69.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.98 грн
10+ 88.91 грн
100+ 63.75 грн
500+ 61.64 грн
800+ 44 грн
2400+ 42.52 грн
4800+ 41.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.32 грн
10+ 91.24 грн
20+ 52.36 грн
54+ 49.46 грн
800+ 48.23 грн
2400+ 47.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+130.88 грн
10+ 96.19 грн
100+ 73.01 грн
500+ 45.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1018ESTRLPBF
Код товару: 203741 		irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній