![IRF1018EPBF IRF1018EPBF](/img/to-220.jpg)
IRF1018EPBF
![irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 98648
Виробник: IRUds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
Монтаж: THT
у наявності 40 шт:
4 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 44 грн |
10+ | 39.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1018EPBF IR
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:60V
- Cont Current Id:79A
- On State Resistance:7.1mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Power Dissipation:110W
- Pulse Current Idm:315A
- Transistor Case Style:TO-220
Інші пропозиції IRF1018EPBF за ціною від 22.12 грн до 89.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
на замовлення 3761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF1018EPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF840PBF Код товару: 182602 |
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 286 шт
очікується:
50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 32 грн |
10+ | 27.8 грн |
100+ | 25.3 грн |
SS8050-H Код товару: 160698 |
![]() |
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 350
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 350
Монтаж: SMD
товар відсутній
SS8550-H Код товару: 160700 |
![]() |
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 25 V
Uкб, В: 40 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 350
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 25 V
Uкб, В: 40 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 350
у наявності: 1110 шт
очікується:
850 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 2.5 грн |
32+ | 1.6 грн |
100+ | 1.2 грн |
1000+ | 0.95 грн |
TL494ID Код товару: 17340 |
![]() |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
товар відсутній
470uF 100V EXR 18x32mm (low imp.) (EXR471M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 12850 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 18х32mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 18х32mm
Строк життя: 5000 годин
очікується:
800 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 32 грн |
10+ | 28.8 грн |
100+ | 25.9 грн |