IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 30.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF1010NSTRLPBF за ціною від 49.21 грн до 129.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC |
на замовлення 9679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF1010NSTRLPBF Код товару: 196974 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 60A Power dissipation: 180W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF1010NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 60A Power dissipation: 180W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |