IRF1010NPBF
Код товару: 26804
Виробник: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності 17 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 200 шт:
200 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 32 грн |
10+ | 28.8 грн |
100+ | 25.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1010NPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:68A
- On State Resistance:0.0125ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:55V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.011ohm
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:115W
- Power Dissipation Pd:115W
- Pulse Current Idm:270A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF1010NPBF за ціною від 37.54 грн до 120.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF1010NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF1010NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF1010NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF1010NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF1010NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF1010NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF1010NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF1010NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF1010NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF1010NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF1010NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 11272 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
TL494CN Код товару: 36468 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 7...40 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 7...40 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 378 шт
очікується:
20 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 14 грн |
10+ | 12.5 грн |
100+ | 11.2 грн |
100uF 16V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR101M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2463 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1580 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 2 грн |
34+ | 1.5 грн |
100+ | 1.2 грн |
1000+ | 0.85 грн |
1500uF 10V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR152M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 15885 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1500 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1500 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 5 грн |
100+ | 4.5 грн |
1000+ | 3.9 грн |
3300uF 6,3V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR332M0JBA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 15971 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3300 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3300 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 7.5 грн |
10+ | 6.4 грн |
100+ | 5.6 грн |
1000+ | 4.8 грн |