IRF1010E JSMicro Semiconductor
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 27.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1010E JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM, кількість в упаковці: 10 шт.
Інші пропозиції IRF1010E за ціною від 27.77 грн до 37.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF1010E | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF1010E | Виробник : International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF1010E | Виробник : International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
IRF1010E Код товару: 24949 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 84 A Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||
 |
IRF1010E | Виробник : Infineon / IR |
 MOSFETs |
товар відсутній |