IRF100B201 Infineon Technologies
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF100B201 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF100B201 за ціною від 96.6 грн до 304.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF100B201 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF100B201 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg |
на замовлення 5391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF100B201 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF100B201 Код товару: 172773 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|