Продукція > UMW > IR21271STR

IR21271STR UMW


ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Виробник: UMW
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 300V; Io+/Io- 300mA/600mA, tON/OFF 150/150ns; 8V~22V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR21271S; IR21271STR; IR21271STR UMW UIIR21271s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IR21271STR UMW

Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 9V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns, Channel Type: Single, Driven Configuration: High-Side or Low-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IR21271STR за ціною від 43.98 грн до 43.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IR21271STR Виробник : UMW ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 300V; Io+/Io- 300mA/600mA, tON/OFF 150/150ns; 8V~22V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR21271S; IR21271STR; IR21271STR UMW UIIR21271s UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
IR21271STR IR21271STR Виробник : Infineon Technologies ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній