IR2102STRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2102STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 360mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 210mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 50ns, Ausgabeverzögerung: -, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IR2102STRPBF за ціною від 42.59 грн до 273.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2102STRPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IR2102S - GATE DRIVER Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2102STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns |
на замовлення 3837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2102STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 50ns Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 50ns Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IR2102STRPBF | Виробник : IR |
|
на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |