IR2101STR JSMicro Semiconductor
![IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 700V; Io+/Io- 200/400mA; tON/OFF 130/130ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101S; IR2101STR; IR2101STR JSMICRO UIIR2101s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 25.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2101STR JSMicro Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IR2101STR за ціною від 50 грн до 50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR2101STR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IR2101STR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
IR2101STR Код товару: 103357 |
![]() 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|
||||||
![]() |
IR2101STR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IR2101STR | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товар відсутній |