IR2101SPBF Infineon Technologies
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2375+ | 72.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2101SPBF Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA, Part Status: Not For New Designs, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IR2101SPBF за ціною від 32.87 грн до 184.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2101SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 546 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns |
на замовлення 4823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IR2101SPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 10...20; Тип вх. сигн. = неінвертуючий; Io = 210 мА; Dt = 160 нс; Umax, B = 600; Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами; 2 виходи; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8 |
на замовлення 55 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IR2101S/PBF | Виробник : IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |