IR2011STRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 97.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2011STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2011STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: NSOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IR2011STRPBF за ціною від 90.72 грн до 222.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IR2011STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2011STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2011STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2011STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: NSOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2011STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,DSO-8 |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 6482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2011STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IR2011STRPBF | Виробник : Infineon technologies |
|
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| IR2011STRPBF | Виробник : IR |
|
на замовлення 52500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| IR2011STRPBF | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 15523 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| IR2011STRPBF | Виробник : IR |
SOP-8 0441+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| IR2011STRPBF | Виробник : IR |
SOP-8 0446+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
IR2011STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |