![IR2010SPBF IR2010SPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/4/23/8/52/22/730/smn_/manual/16-lead-soicwb.jpg_472149771.jpg)
IR2010SPBF Infineon Technologies
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2010SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2010SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns, SOIC-16, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 3A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 95ns, Ausgabeverzögerung: 65ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IR2010SPBF за ціною від 112.83 грн до 353.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 95ns Ausgabeverzögerung: 65ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF Код товару: 103474 |
Виробник : IR |
![]() Корпус: SO-16 Uc, V: 200 V I o +/-, A: 3/3 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 95/65 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO16 Output current: -3...3A Power: 1.25W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 200V Turn-on time: 95ns Turn-off time: 65ns кількість в упаковці: 1980 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IR2010SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO16 Output current: -3...3A Power: 1.25W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 200V Turn-on time: 95ns Turn-off time: 65ns |
товар відсутній |