![IR2010PBF IR2010PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/25/753340/smn_/manual/14leaddip.jpg_472149771.jpg)
IR2010PBF Infineon Technologies
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2010PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2010PBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns, DIP-14, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: DIP, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 3A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 14Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 95ns, Ausgabeverzögerung: 65ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IR2010PBF за ціною від 154.53 грн до 583.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 14-DIP Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2010PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 95ns Ausgabeverzögerung: 65ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2010PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Supply voltage: 10...20V DC Operating temperature: -40...125°C Case: DIP14 Power: 1.6W Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Mounting: THT Turn-on time: 95ns Turn-off time: 65ns Output current: -3...3A Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality Kind of package: tube |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2010PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Supply voltage: 10...20V DC Operating temperature: -40...125°C Case: DIP14 Power: 1.6W Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Mounting: THT Turn-on time: 95ns Turn-off time: 65ns Output current: -3...3A Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|