на замовлення 6000 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 248.53 грн |
| 10+ | 206.04 грн |
| 25+ | 168.59 грн |
| 100+ | 144.61 грн |
| 250+ | 136.14 грн |
| 500+ | 128.38 грн |
| 1000+ | 110.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9.
Інші пропозиції IQE220N15NM5CGSCATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 TRENCH >=100V |
товар відсутній |
||
 |
IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 |
товар відсутній |
|
|
|
IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 |
товар відсутній |