IQE022N06LM5ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N

на замовлення 4980 шт:

---

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	195.26 грн
10+	159.98 грн
100+	110.85 грн
250+	101.43 грн
500+	92.02 грн
1000+	79.7 грн
2500+	75.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQE022N06LM5ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQE022N06LM5ATMA1 за ціною від 66.41 грн до 226.5 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IQE022N06LM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V	на замовлення 4937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 226.5 грн 10+  142.34 грн 100+  98.93 грн 500+  75.39 грн 1000+  69.78 грн 2000+  66.41 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	IQE022N06LM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TSON EP T/R	товар відсутній	купити
	IQE022N06LM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V	товар відсутній	купити