Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE013N04LM6CGATMA1
IQE013N04LM6CGATMA1

IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE013N04LM6CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298d3705b09 Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.76 грн
10+ 152.61 грн
100+ 121.47 грн
500+ 96.46 грн
1000+ 81.84 грн
2000+ 77.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon Technologies

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA, Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V.

Інші пропозиції IQE013N04LM6CGATMA1 за ціною від 77.59 грн до 196.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IQE013N04LM6CGATMA1 IQE013N04LM6CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQE013N04LM6CG_DataSheet_v02_01_EN-3363225.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.69 грн
10+ 162.24 грн
100+ 114.27 грн
250+ 108.63 грн
500+ 96.64 грн
1000+ 80.41 грн
5000+ 77.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQE013N04LM6CGATMA1 IQE013N04LM6CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqe013n04lm6cg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQE013N04LM6CGATMA1 IQE013N04LM6CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE013N04LM6CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298d3705b09 Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
товар відсутній