![IQE008N03LM5ATMA1 IQE008N03LM5ATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4165/MFG_IQE008N03LM5ATMA1.jpg)
IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IQE008N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c822c327f74](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 181.68 грн |
10+ | 144.97 грн |
100+ | 115.4 грн |
500+ | 91.64 грн |
1000+ | 77.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies
N Channel Power Mosfet.
Інші пропозиції IQE008N03LM5ATMA1 за ціною від 73.18 грн до 195.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IQE008N03LM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IQE008N03LM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IQE008N03LM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V |
товар відсутній |