![IQE006NE2LM5CGSCATMA1 IQE006NE2LM5CGSCATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4174/MFG_IQE006NE2LM5CGSCATMA1.jpg)
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47](/images/adobe-acrobat.png)
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 4434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 192.36 грн |
10+ | 153.82 грн |
100+ | 122.44 грн |
500+ | 97.23 грн |
1000+ | 82.5 грн |
2000+ | 78.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IQE006NE2LM5CGSCATMA1 за ціною від 79.42 грн до 223.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V Dauer-Drainstrom Id: 310A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V |
товар відсутній |