Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE004NE1LM7CGSCATMA1
IQE004NE1LM7CGSCATMA1

IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IQE004NE1LM7CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c1f8664788 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 10886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.07 грн
10+ 158.79 грн
100+ 126.37 грн
500+ 100.35 грн
1000+ 85.14 грн
2000+ 80.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R.

Інші пропозиції IQE004NE1LM7CGSCATMA1 за ціною від 81.87 грн до 218.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7cgsc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+202.44 грн
10+ 166.99 грн
25+ 165.24 грн
100+ 127.72 грн
250+ 87.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7cgsc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57+218.01 грн
69+ 179.83 грн
70+ 177.95 грн
100+ 137.54 грн
250+ 93.71 грн
Мінімальне замовлення: 57
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQE004NE1LM7CGSC_DataSheet_v02_00_EN-3324432.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.17 грн
10+ 173.31 грн
100+ 120.27 грн
250+ 110.85 грн
500+ 100.71 грн
1000+ 86.22 грн
2500+ 81.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7cgsc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
товар відсутній
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7cgsc-datasheet-v02_00-en.pdf TRENCH <= 40V
товар відсутній
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE004NE1LM7CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c1f8664788 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
товар відсутній