IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 10886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.07 грн |
10+ | 158.79 грн |
100+ | 126.37 грн |
500+ | 100.35 грн |
1000+ | 85.14 грн |
2000+ | 80.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R.
Інші пропозиції IQE004NE1LM7CGSCATMA1 за ціною від 81.87 грн до 218.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 4348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V |
товар відсутній |