IPZA60R120P7XKSA1

IPZA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPZA60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160454dfa181953 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+367.23 грн
30+ 279.97 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPZA60R120P7XKSA1 за ціною від 166.58 грн до 397.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPZA60R120P7XKSA1 IPZA60R120P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPZA60R120P7_DS_v02_01_EN-3362657.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+397.7 грн
10+ 373.43 грн
25+ 268.49 грн
100+ 232.65 грн
240+ 227.73 грн
480+ 176.42 грн
1200+ 166.58 грн
IPZA60R120P7XKSA1 IPZA60R120P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipza60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPZA60R120P7XKSA1 IPZA60R120P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R120P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-4
Case: PG-TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 36nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPZA60R120P7XKSA1 IPZA60R120P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipza60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPZA60R120P7XKSA1 IPZA60R120P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R120P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-4
Case: PG-TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 36nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
товар відсутній