IPZA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPZA60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160454dfa181953](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 367.23 грн |
30+ | 279.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPZA60R120P7XKSA1 за ціною від 166.58 грн до 397.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPZA60R120P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPZA60R120P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPZA60R120P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-4 Case: PG-TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 36nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPZA60R120P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPZA60R120P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-4 Case: PG-TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 36nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |