IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 386.16 грн |
| 10+ | 305.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 129W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPZA60R080P7XKSA1 за ціною від 303.53 грн до 593.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4 Case: PG-TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 51nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 129W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IPZA60R080P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4 Case: PG-TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 51nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 129W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |