![IPZA60R045P7XKSA1 IPZA60R045P7XKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4453/MOSFETTO247.jpg)
IPZA60R045P7XKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPZA60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454244a483a](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 577.07 грн |
10+ | 476.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZA60R045P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 201W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPZA60R045P7XKSA1 за ціною від 345.81 грн до 712.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPZA60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPZA60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IPZA60R045P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 206A; 201W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Pulsed drain current: 206A Power dissipation: 201W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IPZA60R045P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IPZA60R045P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 206A; 201W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Pulsed drain current: 206A Power dissipation: 201W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товар відсутній |