![IPZ65R065C7XKSA1 IPZ65R065C7XKSA1](https://www.mouser.com/images/infineon/lrg/TO_247_4_DSL.jpg)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 617.12 грн |
10+ | 581.05 грн |
25+ | 435.57 грн |
100+ | 402.82 грн |
240+ | 378.42 грн |
480+ | 349.85 грн |
1200+ | 345.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ65R065C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPZ65R065C7XKSA1 за ціною від 468.43 грн до 680.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPZ65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPZ65R065C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
IPZ65R065C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-4 Case: PG-TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 171W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
IPZ65R065C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-4 Case: PG-TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 171W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |