IPZ65R045C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 448.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ65R045C7XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4, Case: PG-TO247-4, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Technology: CoolMOS™ C7, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 46A, On-state resistance: 45mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 227W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPZ65R045C7XKSA1 за ціною від 494.11 грн до 835.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZ65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4 |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPZ65R045C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4 Case: PG-TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
IPZ65R045C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IPZ65R045C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4 Case: PG-TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |