IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1426.33 грн |
| 30+ | 1111.84 грн |
| 120+ | 1046.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPZ60R017C7XKSA1 за ціною від 907.38 грн до 1785.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPZ60R017C7XKSA1 Код товару: 154853 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4 Case: PG-TO247-4 Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 240nC Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Drain current: 69A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4 Case: PG-TO247-4 Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 240nC Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Drain current: 69A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |