![IPZ40N04S5L-7R4 IPZ40N04S5L-7R4](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/CB/D5/60/00/1/417212_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=c7e967f39be41e01ef1ca51105294311ed75ef28)
IPZ40N04S5L-7R4 INFINEON TECHNOLOGIES
![IPZ40N04S5L-7R4.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S5L-7R4 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 40A, Power dissipation: 34W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 10.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 17nC, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції IPZ40N04S5L-7R4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPZ40N04S5L-7R4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPZ40N04S5L-7R4 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 34W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |