Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPZ40N04S58R4ATMA1
IPZ40N04S58R4ATMA1

IPZ40N04S58R4ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPZ40N04S5-8R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158d8a817e4652a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZ40N04S58R4ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPZ40N04S58R4ATMA1 за ціною від 20.17 грн до 67.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPZ40N04S58R4ATMA1 IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPZ40N04S5-8R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158d8a817e4652a Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.1 грн
10+ 53.57 грн
100+ 37.08 грн
500+ 29.07 грн
1000+ 24.74 грн
2000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPZ40N04S58R4ATMA1 IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPZ40N04S5_8R4_DS_v01_00_EN-1732025.pdf MOSFETs N
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.32 грн
10+ 59.14 грн
100+ 35.2 грн
500+ 29.41 грн
1000+ 22.57 грн
5000+ 21.09 грн
10000+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPZ40N04S5-8R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158d8a817e4652a
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPZ40N04S58R4ATMA1 IPZ40N04S58R4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 118651776996891infineon-ipz40n04s5-8r4-ds-v01_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a015.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній