Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPWS65R022CFD7AXKSA1
IPWS65R022CFD7AXKSA1

IPWS65R022CFD7AXKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IPWS65R022CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3362751.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1614.64 грн
10+ 1414.73 грн
25+ 1148.38 грн
50+ 1111.7 грн
100+ 1075.72 грн
240+ 1003.77 грн
480+ 923.36 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPWS65R022CFD7AXKSA1 Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-31, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPWS65R022CFD7AXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPWS65R022CFD7AXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPWS65R022CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179cce005c602d8 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V
товар відсутній