IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 428.83 грн |
10+ | 354.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPW65R150CFDAFKSA1 за ціною від 213.73 грн до 461.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPW65R150CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO247-3 |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPW65R150CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPW65R150CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |