![IPW65R080CFDAFKSA1 IPW65R080CFDAFKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/af59ebfb2963451090b586e636788f27a1753342/infineon-package-to-247.jpg)
IPW65R080CFDAFKSA1 Infineon Technologies
![ds_ipw65r080cfda_2_1.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 621.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R080CFDAFKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 391W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPW65R080CFDAFKSA1 за ціною від 416.89 грн до 875.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW65R080CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPW65R080CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
IPW65R080CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IPW65R080CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
IPW65R080CFDAFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |