на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 858.34 грн |
| 10+ | 724.4 грн |
| 25+ | 571.37 грн |
| 100+ | 524.81 грн |
| 240+ | 493.77 грн |
| 480+ | 463.44 грн |
| 1200+ | 416.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R080CFDA Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 27.4A, Power dissipation: 391W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 80mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPW65R080CFDA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R080CFDA | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 27.4A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IPW65R080CFDA | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 27.4A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |