IPW65R070C6FKSA1

IPW65R070C6FKSA1 Infineon Technologies


ipw65r070c6_2_0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.78 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW65R070C6FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 391W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPW65R070C6FKSA1 за ціною від 401.56 грн до 1024.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipw65r070c6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+818.5 грн
10+ 729.15 грн
25+ 607.33 грн
50+ 534.44 грн
100+ 470.18 грн
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipw65r070c6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+875.06 грн
16+ 779.55 грн
25+ 649.31 грн
50+ 571.38 грн
100+ 502.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 Виробник : INFINEON INFNS17049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+884.99 грн
5+ 774.76 грн
10+ 664.52 грн
50+ 574.23 грн
100+ 490.52 грн
250+ 408.1 грн
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipw65r070c6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+951.26 грн
10+ 822.52 грн
25+ 655.79 грн
50+ 566.95 грн
100+ 494.56 грн
480+ 470.03 грн
720+ 401.56 грн
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipw65r070c6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+1024.43 грн
14+ 885.79 грн
25+ 706.23 грн
50+ 610.56 грн
100+ 532.6 грн
480+ 506.19 грн
720+ 432.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R070C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW65R070C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ea425a4012ed7911cbf3821 Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
товар відсутній
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW65R070C6-DS-v02_00-en-1227290.pdf MOSFET N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6
товар відсутній
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R070C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній