![IPW65R060CFD7XKSA1 IPW65R060CFD7XKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/d8a93b3f0c52765f8f2184e63f99cbc97a4cf261/infineon-package-650v-coolmos-cfd7-to247-3-va.jpg)
IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
240+ | 360.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: 650V FET COOLMOS TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R060CFD7XKSA1 за ціною від 245.31 грн до 737.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW65R060CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW65R060CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW65R060CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IPW65R060CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IPW65R060CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW65R060CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V |
товар відсутній |