![IPW65R041CFD7XKSA1 IPW65R041CFD7XKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/725/MFG_650V-CoolMOS-CFD7.jpg)
IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPW65R041CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730951911c44eb](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 607.48 грн |
30+ | 467.01 грн |
120+ | 417.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW65R041CFD7XKSA1 за ціною від 307.15 грн до 906.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |