IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 838.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW65R019C7FKSA1 за ціною від 893.92 грн до 1561.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Power dissipation: 446W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPW65R019C7FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Power dissipation: 446W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |