IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 36480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.6A, Power dissipation: 93W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.33Ω, Mounting: THT, Gate charge: 22nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPW60R330P6FKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R330P6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Power dissipation: 93W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IPW60R330P6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Power dissipation: 93W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |