![IPW60R190E6 IPW60R190E6](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
IPW60R190E6 Infineon Technologies
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 297.66 грн |
10+ | 245.72 грн |
25+ | 201.72 грн |
100+ | 172.9 грн |
240+ | 163.77 грн |
480+ | 153.93 грн |
1200+ | 132.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R190E6 Infineon Technologies
Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 151W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW60R190E6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IPW60R190E6 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
IPW60R190E6 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V |
товар відсутній |