![IPW60R180C7XKSA1 IPW60R180C7XKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/dd4030eae58c8e12d3eea9cd87f2ff6146165675/to-247-600v-c7.jpg)
IPW60R180C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
240+ | 178.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R180C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW60R180C7XKSA1 за ціною від 123 грн до 379.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPW60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R180C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 68W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R180C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 68W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |