![IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/af59ebfb2963451090b586e636788f27a1753342/infineon-package-to-247.jpg)
IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
240+ | 244.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 219W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW60R125P6XKSA1 за ціною від 168.65 грн до 439.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPW60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R125P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
IPW60R125P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R125P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |